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电子元器件详细资料 » IC[28375] » SUD50N10-18P-GE3
型号:SUD50N10-18P-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 100V DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 100V DPAK
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C18.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs75nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2600pF @ 50V
功率_最大2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
包装剪切带 (CT)

供应商

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深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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SUD50N10-18P-GE3相关型号

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